BFP650H6327XTSA1, Биполярный — РЧ транзистор, NPN, 4.5 В

45,00 руб.

Артикул: 1130560 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	45,00руб.	41,85руб.	40,50руб.	39,60руб.	36,90руб.	36,00руб.	35,10руб.	32,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	81,45руб.	74,70руб.	73,35руб.	71,55руб.	66,60руб.	65,25руб.	63,45руб.	57,15руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	105,30руб.	97,20руб.	94,95руб.	92,70руб.	86,40руб.	84,15руб.	82,35руб.	73,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	54,00руб.	49,50руб.	48,60руб.	47,25руб.	44,10руб.	43,20руб.	41,85руб.	37,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	103,95руб.	95,85руб.	93,60руб.	91,35руб.	88,65руб.	85,50руб.	81,00руб.	72,90руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

BFP650H6327XTSA1, Биполярный — РЧ транзистор, NPN, 4.5 В The BFP 650 H6327 is a NPN high linearity wideband Bipolar RF Transistor based on Infineon’s reliable high volume silicon germanium carbon hetero-junction bipolar technology. With its high linearity at currents as low as 30mA the device supports energy efficient designs. The typical transition frequency is approximately 42GHz, hence the device offers high power gain at frequencies up to 5GHz in amplifier applications. The device is housed in an easy to use plastic package with visible leads.

• Linear low-noise driver amplifier
• Easy to use
• Halogen-free

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	4вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер	4.5В
Рассеиваемая Мощность	500мВт
Полярность Транзистора	npn
DC Ток Коллектора	150мА
DC Усиление Тока hFE	100hFE
Корпус РЧ Транзистора	SOT-343
Частота Перехода ft	42ГГц