39

BFP620H7764XTSA1, Биполярный — РЧ транзистор, NPN, 2.3 В

57,00 руб.

x 57,00 = 57,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней57,00руб.53,01руб.51,30руб.50,16руб.46,74руб.45,60руб.44,46руб.41,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней103,17руб.94,62руб.92,91руб.90,63руб.84,36руб.82,65руб.80,37руб.72,39руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней133,38руб.123,12руб.120,27руб.117,42руб.109,44руб.106,59руб.104,31руб.93,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней68,40руб.62,70руб.61,56руб.59,85руб.55,86руб.54,72руб.53,01руб.47,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней131,67руб.121,41руб.118,56руб.115,71руб.112,29руб.108,30руб.102,60руб.92,34руб.

Характеристики

BFP620H7764XTSA1, Биполярный — РЧ транзистор, NPN, 2.3 В The BFP 620 H7764 is a low-noise Bipolar RF Transistor provides outstanding performance for a wide range of wireless applications. It is designed based on Infineon’s reliable high volume silicon germanium technology. The device is ideal for CDMA and WLAN applications.

• High linearity transistor
• Collector design provides high linearity of 14.5dBm OP1dB for low voltage application
• Maximum stable gain
• Outstanding noise figure
• Halogen-free

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

2.3В

Рассеиваемая Мощность

185мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

80мА

DC Усиление Тока hFE

110hFE

Корпус РЧ Транзистора

SOT-343

Частота Перехода ft

65ГГц