28201ac9c901423f233a93d75b813595

BFG520, Биполярный — РЧ транзистор, NPN, 15 В, 9 ГГц

33,00 руб.

x 33,00 = 33,00
Артикул: 1130536 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней33,00руб.30,69руб.29,70руб.29,04руб.27,06руб.26,40руб.25,74руб.23,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней59,73руб.54,78руб.53,79руб.52,47руб.48,84руб.47,85руб.46,53руб.41,91руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней77,22руб.71,28руб.69,63руб.67,98руб.63,36руб.61,71руб.60,39руб.54,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней39,60руб.36,30руб.35,64руб.34,65руб.32,34руб.31,68руб.30,69руб.27,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней76,23руб.70,29руб.68,64руб.66,99руб.65,01руб.62,70руб.59,40руб.53,46руб.

Характеристики

BFG520, Биполярный — РЧ транзистор, NPN, 15 В, 9 ГГц The BFG520 is a NPN silicon epitaxial planar Wideband Transistor encapsulated in a plastic envelope. The device is intended for applications in the RF frontend in the GHz range, such as analogue and digital cellular telephones, cordless telephones (CT1, CT2, DECT), radar detectors, pagers and satellite TV tuners (SATV) and repeater amplifiers in fibre-optic systems.

• High power gain
• Low noise figure
• High transition frequency
• Gold metallization ensures excellent reliability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

4вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

15В
Рассеиваемая Мощность

300мВт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

70мА
DC Усиление Тока hFE

120hFE
Корпус РЧ Транзистора

SOT-143B
Частота Перехода ft

9ГГц