ed8821495b254aae8286c0f99baaaa9d

BFG425W,115, Биполярный — РЧ транзистор, NPN, 4.5 В, 25 ГГц

20,00 руб.

x 20,00 = 20,00
Артикул: 1130534 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней20,00руб.18,60руб.18,00руб.17,60руб.16,40руб.16,00руб.15,60руб.14,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней36,20руб.33,20руб.32,60руб.31,80руб.29,60руб.29,00руб.28,20руб.25,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней46,80руб.43,20руб.42,20руб.41,20руб.38,40руб.37,40руб.36,60руб.32,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней24,00руб.22,00руб.21,60руб.21,00руб.19,60руб.19,20руб.18,60руб.16,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней46,20руб.42,60руб.41,60руб.40,60руб.39,40руб.38,00руб.36,00руб.32,40руб.

Характеристики

BFG425W,115, Биполярный — РЧ транзистор, NPN, 4.5 В, 25 ГГц The BFG425W, 115 is a NPN double polysilicon Wideband Transistor with buried layer for low voltage applications in a plastic, dual-emitter package. It is designed for use with RF front end, analogue and digital cellular telephones, cordless telephones (PHS, DECT), radar detectors, pagers, SATV tuners and high frequency oscillator applications.

• Very high power gain
• Low noise figure
• High transition frequency
• Emitter is thermal lead
• Low feedback capacitance

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

4.5В
Рассеиваемая Мощность

135мВт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

25мА
DC Усиление Тока hFE

80hFE
Корпус РЧ Транзистора

SOT-343R
Частота Перехода ft

25ГГц