18c53b505a228c98d7d2e83f4a05cbb3

BDV66B, Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, 100 В

340,00 руб.

x 340,00 = 340,00
Артикул: 1129678 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней340,00руб.316,20руб.306,00руб.299,20руб.289,00руб.272,00руб.265,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней639,20руб.588,20руб.578,00руб.564,40руб.544,00руб.513,40руб.499,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней649,40руб.598,40руб.584,80руб.571,20руб.544,00руб.516,80руб.506,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней408,00руб.374,00руб.367,20руб.357,00руб.346,80руб.326,40руб.316,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней591,60руб.544,00руб.530,40руб.520,20руб.503,20руб.472,60руб.459,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней370,60руб.343,40руб.333,20руб.326,40руб.316,20руб.295,80руб.289,00руб.

Характеристики

BDV66B, Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, 100 В The BDV66B is a -100V Silicon PNP Complementary Darlington Power Transistor having monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.

• Collector-emitter sustaining voltage (Vceo (sus) = 100V minimum)
• Collector-emitter saturation voltage(Vceo (sat) = 2V maximum at Ic = 10A)
• Collector-base voltage(Vcbo = 100V)
• Emitter-base voltage(Vebo = 5V)
• Multicomp products are rated 4.6 out of 5 stars
• 12-month limited warranty *view Terms & Conditions for details
• 96% of customers would recommend to a friend

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

100В
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

125Вт
Полярность Транзистора

pnp
DC Ток Коллектора

16А
Частота Перехода ft

6МГц