11

BCR523E6327HTSA1, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 100 МГц

27,00 руб.

x 27,00 = 27,00
Артикул: 1129587 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней27,00руб.25,11руб.24,30руб.23,76руб.22,14руб.21,60руб.21,06руб.19,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней48,87руб.44,82руб.44,01руб.42,93руб.39,96руб.39,15руб.38,07руб.34,29руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней63,18руб.58,32руб.56,97руб.55,62руб.51,84руб.50,49руб.49,41руб.44,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней32,40руб.29,70руб.29,16руб.28,35руб.26,46руб.25,92руб.25,11руб.22,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней62,37руб.57,51руб.56,16руб.54,81руб.53,19руб.51,30руб.48,60руб.43,74руб.

Характеристики

BCR523E6327HTSA1, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 100 МГц The BCR 523 E6327 is a NPN silicon digital Bipolar Transistor suitable for switching circuit, inverter and interface circuit driver circuit applications.

• Built-in bias resistor (R1 = 1kR, R2 = 10kR)

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

50в
Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23
Рассеиваемая Мощность

330мВт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

500мА
DC Усиление Тока hFE

70hFE
Частота Перехода ft

100мгц