011

BCP53-10T1G, Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 50 МГц

34,00 руб.

x 34,00 = 34,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней34,00руб.31,62руб.30,60руб.29,92руб.27,88руб.27,20руб.26,52руб.24,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней61,54руб.56,44руб.55,42руб.54,06руб.50,32руб.49,30руб.47,94руб.43,18руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней79,56руб.73,44руб.71,74руб.70,04руб.65,28руб.63,58руб.62,22руб.55,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней40,80руб.37,40руб.36,72руб.35,70руб.33,32руб.32,64руб.31,62руб.28,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней78,54руб.72,42руб.70,72руб.69,02руб.66,98руб.64,60руб.61,20руб.55,08руб.

Характеристики

BCP53-10T1G, Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 50 МГц The BCP53-10T1G is a 80V PNP bipolar Epitaxial Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications. The package can be soldered using wave or reflow. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die.

• Halogen-free
• NPN complement is BCP56

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

-80В

Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-223

Рассеиваемая Мощность

1.5Вт

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

-1.5А

DC Усиление Тока hFE

63hFE

Частота Перехода ft

50МГц