11

BC857BDW1T1G, Массив биполярных транзисторов, универсальный

17,00 руб.

x 17,00 = 17,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней17,00руб.15,81руб.15,30руб.14,96руб.13,94руб.13,60руб.13,26руб.12,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней30,77руб.28,22руб.27,71руб.27,03руб.25,16руб.24,65руб.23,97руб.21,59руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней39,78руб.36,72руб.35,87руб.35,02руб.32,64руб.31,79руб.31,11руб.27,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней20,40руб.18,70руб.18,36руб.17,85руб.16,66руб.16,32руб.15,81руб.14,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней39,27руб.36,21руб.35,36руб.34,51руб.33,49руб.32,30руб.30,60руб.27,54руб.

Характеристики

BC857BDW1T1G, Массив биполярных транзисторов, универсальный The BC857BDW1T1G is a dual PNP Bipolar Transistor Array designed for general purpose amplifier applications. It is designed for low power surface-mount applications.

• Halogen-free
• -55 to 150 C Junction temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

-45В

Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-363

Рассеиваемая Мощность

380мВт

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

100мА

DC Усиление Тока hFE

150hFE