16

AUIRLS4030-7P, МОП-транзистор, N Канал, 190 А, 100 В

470,00 руб.

x 470,00 = 470,00
Артикул: 1133435 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней470,00руб.437,10руб.423,00руб.413,60руб.399,50руб.376,00руб.366,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней883,60руб.813,10руб.799,00руб.780,20руб.752,00руб.709,70руб.690,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней897,70руб.827,20руб.808,40руб.789,60руб.752,00руб.714,40руб.700,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней564,00руб.517,00руб.507,60руб.493,50руб.479,40руб.451,20руб.437,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней817,80руб.752,00руб.733,20руб.719,10руб.695,60руб.653,30руб.634,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней512,30руб.474,70руб.460,60руб.451,20руб.437,10руб.408,90руб.399,50руб.

Характеристики

AUIRLS4030-7P, МОП-транзистор, N Канал, 190 А, 100 В The AUIRLS4030-7P is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device.

• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Logic level gate drive
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

7вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263CB
Рассеиваемая Мощность

370Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

100В
Непрерывный Ток Стока

190А