Транзистор AUIRLR3636, Auto Q101 Nкан 60В 99А DPak

330,00 руб.

Артикул: 1127020 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	330,00руб.	306,90руб.	297,00руб.	290,40руб.	280,50руб.	264,00руб.	257,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	620,40руб.	570,90руб.	561,00руб.	547,80руб.	528,00руб.	498,30руб.	485,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	630,30руб.	580,80руб.	567,60руб.	554,40руб.	528,00руб.	501,60руб.	491,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	396,00руб.	363,00руб.	356,40руб.	346,50руб.	336,60руб.	316,80руб.	306,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	574,20руб.	528,00руб.	514,80руб.	504,90руб.	488,40руб.	458,70руб.	445,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	359,70руб.	333,30руб.	323,40руб.	316,80руб.	306,90руб.	287,10руб.	280,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

AUIRLR3636, Auto Q101 Nкан 60В 99А DPakThe AUIRLR3636 is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device.

• Advanced process technology
• Logic level gate drive
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax