953247827f62b54a7dc3ca895f0037fc

Микросхема ADR421ARZ, Высокоточный источник опорного напряжения …

264,61 руб.

x 264,61 = 264,61
Артикул: 1111081 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней264,61руб.246,09руб.238,15руб.232,86руб.224,92руб.211,69руб.206,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней497,47руб.457,78руб.449,84руб.439,25руб.423,38руб.399,56руб.388,98руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней505,41руб.465,71руб.455,13руб.444,54руб.423,38руб.402,21руб.394,27руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней317,53руб.291,07руб.285,78руб.277,84руб.269,90руб.254,03руб.246,09руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней460,42руб.423,38руб.412,79руб.404,85руб.391,62руб.367,81руб.357,22руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней288,42руб.267,26руб.259,32руб.254,03руб.246,09руб.230,21руб.224,92руб.

Характеристики

ADR421ARZ, Высокоточный источник опорного напряжения …The ADR421ARZ is an ultra-precision, second generation eXtra implanted junction FET (XFET) Voltage Reference featuring low noise, high accuracy and excellent long-term stability in SOIC and MSOP footprints. Patented temperature drift curvature correction technique and XFET technology minimize nonlinearity of the voltage change with temperature. The XFET architecture offers superior accuracy and thermal hysteresis to the band gap references. It also operates at lower power and lower supply headroom than the buried Zener references. The trim terminal can also be used to adjust the output voltage over a ±0.5% range without compromising any other performance.

• Low noise (0.1 to 10Hz)
• 3ppm/°C Low temperature coefficient
• 50ppm/1000 hours Long-term stability
• 70ppm/mA Load regulation
• 35ppm/V Line regulation
• 40ppm Typical low hysteresis
• 0.5mA Maximum quiescent current
• 10mA High output current