12а

2N7000TA, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [TO-92]

6,00 руб.

x 6,00 = 6,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней6,00руб.5,58руб.5,40руб.5,28руб.4,92руб.4,80руб.4,68руб.4,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней10,86руб.9,96руб.9,78руб.9,54руб.8,88руб.8,70руб.8,46руб.7,62руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней14,04руб.12,96руб.12,66руб.12,36руб.11,52руб.11,22руб.10,98руб.9,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней7,20руб.6,60руб.6,48руб.6,30руб.5,88руб.5,76руб.5,58руб.5,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней13,86руб.12,78руб.12,48руб.12,18руб.11,82руб.11,40руб.10,80руб.9,72руб.

Характеристики

2N7000TA, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [TO-92]The 2N7000TA is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density and DMOS technology. It minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. These products are particularly suited for low-voltage, low-current applications, such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.

• Fast switching
• Lower input capacitance
• Extended safe operating area
• Improved inductive ruggedness
• Improved high temperature reliability

Дополнительная информация

Корпус

to92

Структура

n-канал