d04a5a0e0627dd6ce1e91519d9095f8f

2N6661, МОП-транзистор, вертикальный DMOS FET, N Канал

1.110,00 руб.

x 1.110,00 = 1.110,00
Артикул: 1133344 Категории: ,
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.110,00руб.1.032,30руб.976,80руб.943,50руб.910,20руб.893,55руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.254,30руб.1.132,20руб.1.110,00руб.1.065,60руб.1.032,30руб.1.010,10руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.354,20руб.1.221,00руб.1.187,70руб.1.154,40руб.1.087,80руб.1.021,20руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.320,90руб.1.187,70руб.1.165,50руб.1.121,10руб.1.076,70руб.1.015,65руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней1.887,00руб.1.698,30руб.1.665,00руб.1.598,40руб.1.542,90руб.1.409,70руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней1.875,90руб.1.687,20руб.1.651,68руб.1.587,30руб.1.531,80руб.1.398,60руб.

Характеристики

2N6661, МОП-транзистор, вертикальный DMOS FET, N Канал Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-39
Рассеиваемая Мощность

6.25Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

90В
Непрерывный Ток Стока

1.5А