1634395c3ca16eacc7aea8017a1bc048

2N6308, Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 5 МГц, 125 Вт

570,00 руб.

x 570,00 = 570,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней570,00руб.530,10руб.513,00руб.501,60руб.484,50руб.456,00руб.444,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.071,60руб.986,10руб.969,00руб.946,20руб.912,00руб.860,70руб.837,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.088,70руб.1.003,20руб.980,40руб.957,60руб.912,00руб.866,40руб.849,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней684,00руб.627,00руб.615,60руб.598,50руб.581,40руб.547,20руб.530,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней991,80руб.912,00руб.889,20руб.872,10руб.843,60руб.792,30руб.769,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней621,30руб.575,70руб.558,60руб.547,20руб.530,10руб.495,90руб.484,50руб.

Характеристики

2N6308, Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 5 МГц, 125 Вт The 2N6308 is a 350V Silicon NPN Power Transistor designed for high voltage inverters, switching regulators and line operated amplifier applications. This transistor is especially well suited for switching power supply applications in associated consumer products.

• Low collector-emitter saturation voltage
• Current gain bandwidth (5MHz minimum at Ic = 0.3A)
• Collector-base voltage(Vcbo = 700V)
• Emitter-base voltage(Vebo = 8V)
• Multicomp products are rated 4.6 out of 5 stars
• 12-month limited warranty *view Terms & Conditions for details
• 96% of customers would recommend to a friend

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

200 C

Количество Выводов

2вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

350В

Стандарт Корпуса Транзистора

to-3

Рассеиваемая Мощность

125Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

DC Усиление Тока hFE

60hFE

Частота Перехода ft

5мгц