47

2N6052G, Биполярный транзистор, PNP, -100 В, 150 Вт, -12 А

460,00 руб.

x 460,00 = 460,00
Артикул: 1129269 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней460,00руб.427,80руб.414,00руб.404,80руб.391,00руб.368,00руб.358,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней864,80руб.795,80руб.782,00руб.763,60руб.736,00руб.694,60руб.676,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней878,60руб.809,60руб.791,20руб.772,80руб.736,00руб.699,20руб.685,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней552,00руб.506,00руб.496,80руб.483,00руб.469,20руб.441,60руб.427,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней800,40руб.736,00руб.717,60руб.703,80руб.680,80руб.639,40руб.621,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней501,40руб.464,60руб.450,80руб.441,60руб.427,80руб.400,20руб.391,00руб.

Характеристики

2N6052G, Биполярный транзистор, PNP, -100 В, 150 Вт, -12 А The 2N6052G is a 12A PNP complementary silicon power Darlington Transistor designed for general-purpose amplifier and low frequency switching applications.

• Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
• High DC current gain (hFE = 3500 @ IC = 5A DC)

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

200 C
Количество Выводов

2вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

-100В
Стандарт Корпуса Транзистора

to-3
Рассеиваемая Мощность

150Вт
Полярность Транзистора

pnp
DC Ток Коллектора

-12А
DC Усиление Тока hFE

100hFE