30fa9de9f51cd5744cadd7d9396005b7

2N3637, Биполярный транзистор, PNP, -175 В, 200 МГц, 5 Вт

270,00 руб.

x 270,00 = 270,00
Артикул: 1129197 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней270,00руб.251,10руб.243,00руб.237,60руб.229,50руб.216,00руб.210,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней507,60руб.467,10руб.459,00руб.448,20руб.432,00руб.407,70руб.396,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней515,70руб.475,20руб.464,40руб.453,60руб.432,00руб.410,40руб.402,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней324,00руб.297,00руб.291,60руб.283,50руб.275,40руб.259,20руб.251,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней469,80руб.432,00руб.421,20руб.413,10руб.399,60руб.375,30руб.364,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней294,30руб.272,70руб.264,60руб.259,20руб.251,10руб.234,90руб.229,50руб.

Характеристики

2N3637, Биполярный транзистор, PNP, -175 В, 200 МГц, 5 Вт The 2N3637 is a -175V PNP silicon epitaxial Planar Transistor designed for use as drivers for high power transistors in general purpose amplifier and switching circuits.

• -175V Collector to base voltage (VCBO)
• -5V Emitter to base voltage (VEBO
• 60ns Fall time (VCC = 30V, IB2 = 15mA)
• 175 C/W Thermal resistance, junction to ambient
• 35 C/W Thermal resistance, junction to case
• Multicomp products are rated 4.6 out of 5 stars
• 12-month limited warranty *view Terms & Conditions for details
• 96% of customers would recommend to a friend

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

200 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

-175В
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-39
Рассеиваемая Мощность

5Вт
Полярность Транзистора

pnp
DC Ток Коллектора

1а
DC Усиление Тока hFE

50hFE
Частота Перехода ft

200МГц