LJAGNPXWCW32420180952_WhatsApp-Image-2018-03-23-at-12.49.22-1-

2MBI200VH модуль

8.900,00 руб.

x 8.900,00 = 8.900,00
Артикул: 1178652 Категория:
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней8.900,00руб.8.277,00руб.7.832,00руб.7.565,00руб.7.298,00руб.7.164,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней10.057,00руб.9.078,00руб.8.900,00руб.8.544,00руб.8.277,00руб.8.099,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней10.858,00руб.9.790,00руб.9.523,00руб.9.256,00руб.8.722,00руб.8.188,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней10.591,00руб.9.523,00руб.9.345,00руб.8.989,00руб.8.633,00руб.8.143,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней15.130,00руб.13.617,00руб.13.350,00руб.12.816,00руб.12.371,00руб.11.303,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней15.041,00руб.13.528,00руб.13.243,20руб.12.727,00руб.12.282,00руб.11.214,00руб.

Характеристики

IGBT, 2 PK, V SE, 200A, 1200V, M249G; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:240A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; Power Dissipation Pd:1.11kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:Module; No. of Pins:-; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:V Series; Module Configuration:Dual

Сайт производителяИзготовитель: Fuji Semiconductor/Fuji Electric Device Technology America