PCIM: SiC-диоды на 1,2 кВ и МОП-транзисторы с суперпереходом на 650 В

Компания On Semiconductor объявила о выпуске SiC-диодов на 1200 В с автомобильным стандартом AECQ101 и промышленной квалификацией на Virtual PCIM.

Что касается диодов, Он сказал: «Новая конструкция улучшает SiC-диоды первого поколения благодаря меньшему размеру кристалла и меньшей емкости. NVDSH20120C, NDSH20120C, NVDSH50120C и NDSH50120C обеспечивают более низкое прямое падение напряжения и 4-кратное увеличение номинального тока с более высоким di / dt, равным 3500 A / мкс. Меньший размер кристалла также обеспечивает на 20% меньшее тепловое сопротивление в корпусе F2 ».

Случайный выбор 20A NVDSH20120C, сертифицированного AEC-Q101 и поддерживающего PPAP: типичное прямое напряжение 20A составляет 1,38 при 25 ° C (1,75 макс.), 1,64 В при 125 ° C и 1,87 В при 175 ° C.

В его двухпроводном корпусе TO-247 термическое сопротивление между переходом и корпусом составляет не более 0,7 ° C / Вт, а между переходом и окружающей средой — не более 40 ° C / Вт.

Общий заряд обычно составляет 100 нКл при 800 В, а емкость 100 кГц составляет ~ 1,5 нФ при Vr = 1 В, 82 пФ при 400 В и 58 пФ при 800 В.

Абсолютный максимум неповторяющихся импульсов 10 мкс в прямом направлении составляет 854 А при Tc = 150 ° C, неповторяющихся полусинусоидальных импульсов 8,3 мс составляет 119 А (температура не указана), а для повторяющихся полусинусоидальных импульсов этот показатель составляет 40 А.

Рассеиваемая мощность составляет 214 Вт абс. При Tc = 25 ° C, падает до 35 Вт при 150 ° C.

Предусмотрено применение в станциях зарядки электромобилей, бортовых зарядных устройствах и преобразователях постоянного тока в постоянный, а также в солнечных инверторах и источниках бесперебойного питания.

Компания также анонсировала на PCIM сверхмощные транзисторы 650V Superfet III для сетей 5G, зарядных станций для электромобилей, телекоммуникаций и серверов, а также несколько других деталей.