Новый силовой модуль из карбида кремния для электромобилей

Карбид кремния в электромобилях повышает эффективность, удельную мощность и производительность. В частности, при использовании аккумуляторной системы на 800 В и большой емкости аккумулятора, карбид кремния обеспечивает более высокую эффективность инверторов и, следовательно, позволяет увеличить дальность действия или снизить затраты на аккумулятор. На своем виртуальном стенде PCIM (1-3 июля) Infineon Technologies AG представит модуль EasyPACK ™ с автомобильной технологией MOSFET CoolSiC ™, полумостовой модуль 1200 В с номинальным током 8 мОм / 150 А.

За последние десять лет Infineon продала более 50 миллионов модулей EasyPACK с различными чипсетами для широкого спектра промышленных и автомобильных приложений. В то же время производитель полупроводников успешно создал свой обширный портфель продуктов CoolSiC для промышленного применения. С внедрением технологии CoolSiC автомобильного MOSFET в EasyPACK и полной автомобильной квалификацией Infineon теперь расширяет диапазон применений для семейства модулей, чтобы включать высоковольтные применения в электромобилях с высокими требованиями к эффективности и частоте переключения. К ним относятся повышающие преобразователи HV / HV-DC-DC, многофазные инверторы и быстродействующие вспомогательные приводы, такие как компрессоры для топливных элементов.

Технология CoolSiC Automotive MOSFET

Новый модуль основан на структуре МОП-транзистора из карбида кремния Infineon. По сравнению с плоскими конструкциями траншейная структура обеспечивает более высокую плотность ячеек, что обеспечивает лучший в своем классе показатель качества. В результате траншейные МОП-транзисторы могут эксплуатироваться с более низкой напряженностью оксидного поля затвора для более высокой надежности.

Технология автомобильного полевого МОП-транзистора CoolSiC первого поколения оптимизирована для использования в тяговых преобразователях, с акцентом на достижение минимально возможных потерь проводимости, особенно в условиях частичной нагрузки. В сочетании с низкими потерями на переключение MOSFET из карбида кремния это позволяет снизить потери при работе инвертора примерно на 60 процентов по сравнению с кремниевыми IGBT.

В дополнение к оптимизации производительности Infineon придает большое значение надежности. Производитель микросхем разрабатывает и тестирует автомобильные МОП-транзисторы CoolSiC с целью достижения высокой устойчивости к коротким замыканиям, воздействию космических лучей и оксида затвора, что является ключевым фактором для разработки эффективных и надежных высоковольтных применений в электромобилях.

Новый автомобильный силовой модуль MOSFET CoolSiC полностью соответствует стандарту AQG324.