DOC005313790

Модуль MOSFET FF8MR12W2M1B11BOMA1

69.000,00 руб.

FF8MR12W2M1B11BOMA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 150 А, 1.2 кВ, 0.0075 Ом, Module

x 69.000,00 = 69.000,00
Артикул: 1185662 Категория:
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №110-12 дней69.000,00руб.64.170,00руб.60.720,00руб.58.650,00руб.56.580,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №210-12 дней84.180,00руб.73.140,00руб.68.310,00руб.65.550,00руб.57.960,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №37 дней91.080,00руб.86.250,00руб.82.110,00руб.77.280,00руб.68.310,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №410 дней82.110,00руб.77.970,00руб.73.830,00руб.69.690,00руб.61.410,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №510-12 дней76.590,00руб.72.450,00руб.68.310,00руб.64.860,00руб.57.270,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №66 дней95.220,00руб.90.390,00руб.85.560,00руб.80.730,00руб.71.760,00руб.

Характеристики

Channel Type Dual N Channel
Drain Source On State Resistance 0.0075Ом
Конфигурация МОП-транзистора Half Bridge
Линейка Продукции EasyDUAL
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Напряжение Измерения Rds(on) 15В
Напряжение Истока-стока Vds 1.2кВ
Непрерывный Ток Стока 150А
Полярность Транзистора Двойной N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 4.5В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0075Ом
Стиль Корпуса Транзистора Module
Вес, г 10