Силовой транзистор GaN 6,8 мОм 170 В для синхронного выпрямления 48 В

Компания Efficient Power Conversion (EPC) представила силовой транзистор на 170 В на основе GaN с каналом 6,8 мОм.

EPC-GaN-матрица
Названные EPC2059, «они разработаны для удовлетворения требований к серверам 48–56 В и продуктам для центров обработки данных, а также для множества потребительских приложений питания для высокопроизводительных вычислений, включая игровые ПК, ЖК-телевизоры, светодиодные телевизоры и светодиодное освещение», по заявлению компании.

Он нацелен на синхронное выпрямление вторичной стороны постоянного и переменного тока в источниках питания переменного / постоянного тока мощностью от 100 Вт до 6 кВт, например, в блоках питания 80 Plus Titanium.

Генеральный директор Алекс Лидоу заявляет, что потери в шесть раз меньше, и при работе на 10 ° C меньше, чем у кремниевого МОП-транзистора с эквивалентным переключением сопротивления на частоте 1 МГц в преобразователе 400–48 В.

Доступен только в форме матрицы 2,8 x 1,4 мм, он рассчитан на постоянный ток 24 А и импульсный ток 102 А.

Ворота предназначены для работы от 5 В для включения устройства, но максимальный ход ворот близок к + 6 В (и -4 В).

Максимальный заряд затвора составляет 7,4 нКл (сток 85 В, затвор 5 В, сток 10 А) или обычно 5,7 нКл.

В комплект поставки входит макетная плата EPC9098 размером 51 x 51 мм, которая может принимать до 170 В и выдавать до 17 А. Он имеет полумост, построенный из двух транзисторов EPC2059, плюс драйвер затвора LMG1210 от Texas Instruments.

EPC2059 и EPC9098 доступны для заказа