SIR826ADP-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 80 В

270,00 руб.

Артикул: 1135448 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	270,00руб.	251,10руб.	243,00руб.	237,60руб.	229,50руб.	216,00руб.	210,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	507,60руб.	467,10руб.	459,00руб.	448,20руб.	432,00руб.	407,70руб.	396,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	515,70руб.	475,20руб.	464,40руб.	453,60руб.	432,00руб.	410,40руб.	402,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	324,00руб.	297,00руб.	291,60руб.	283,50руб.	275,40руб.	259,20руб.	251,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	469,80руб.	432,00руб.	421,20руб.	413,10руб.	399,60руб.	375,30руб.	364,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	294,30руб.	272,70руб.	264,60руб.	259,20руб.	251,10руб.	234,90руб.	229,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

SIR826ADP-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 80 В The SIR826ADP-T1-GE3 is a 80V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in primary side switching and DC/AC inverters applications and also used in synchronous rectification circuits.

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
• 100% Rg Tested
• 100% UIS Tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	PowerPAK SO
Рассеиваемая Мощность	104Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	80В
Непрерывный Ток Стока	60А