1925

SI3460DDV-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 7.9 А, 20 В

31,00 руб.

x 31,00 = 31,00
Артикул: 1135364 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней31,00руб.28,83руб.27,90руб.27,28руб.25,42руб.24,80руб.24,18руб.22,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней56,11руб.51,46руб.50,53руб.49,29руб.45,88руб.44,95руб.43,71руб.39,37руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней72,54руб.66,96руб.65,41руб.63,86руб.59,52руб.57,97руб.56,73руб.50,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней37,20руб.34,10руб.33,48руб.32,55руб.30,38руб.29,76руб.28,83руб.26,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней71,61руб.66,03руб.64,48руб.62,93руб.61,07руб.58,90руб.55,80руб.50,22руб.

Характеристики

SI3460DDV-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 7.9 А, 20 В The SI3460DDV-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, boost converter and DC-to-DC converter applications.

• 100% Rg tested
• 100% UIS tested
• Halogen-free
• -55 to 150 C Operating temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

6вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TSOP
Рассеиваемая Мощность

1.7Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

20В
Непрерывный Ток Стока

7.9А