c51c6aa1bbd25fd505822bace23d28c1

SI3443DV, МОП-транзистор, P Канал, -4 А, -20 В, 0.054 Ом

40,00 руб.

x 40,00 = 40,00
Артикул: 1135360 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней40,00руб.37,20руб.36,00руб.35,20руб.32,80руб.32,00руб.31,20руб.28,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней72,40руб.66,40руб.65,20руб.63,60руб.59,20руб.58,00руб.56,40руб.50,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней93,60руб.86,40руб.84,40руб.82,40руб.76,80руб.74,80руб.73,20руб.65,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней48,00руб.44,00руб.43,20руб.42,00руб.39,20руб.38,40руб.37,20руб.33,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней92,40руб.85,20руб.83,20руб.81,20руб.78,80руб.76,00руб.72,00руб.64,80руб.

Характеристики

SI3443DV, МОП-транзистор, P Канал, -4 А, -20 В, 0.054 Ом The SI3443DV is a 2.5V specified P-channel MOSFET produced using Fairchild’s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is designed to offer exceptional power dissipation in a very small foot-print for applications where the larger packages are impractical.

• Fast switching speed
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• 7.2nC Typical low gate charge

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

6вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23
Рассеиваемая Мощность

1.6Вт
Полярность Транзистора

P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

-20В
Непрерывный Ток Стока

-4А