53437ece89a6b7623c47537912e4d16f

Транзистор SI2343DS-T1-GE3, P CHANNEL MOSFET, -30V, 4A, TO-236

70,00 руб.

x 70,00 = 70,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней70,00руб.65,10руб.63,00руб.61,60руб.57,40руб.56,00руб.54,60руб.50,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней126,70руб.116,20руб.114,10руб.111,30руб.103,60руб.101,50руб.98,70руб.88,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней163,80руб.151,20руб.147,70руб.144,20руб.134,40руб.130,90руб.128,10руб.114,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней84,00руб.77,00руб.75,60руб.73,50руб.68,60руб.67,20руб.65,10руб.58,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней161,70руб.149,10руб.145,60руб.142,10руб.137,90руб.133,00руб.126,00руб.113,40руб.

Характеристики

SI2343DS-T1-GE3, P CHANNEL MOSFET, -30V, 4A, TO-236Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23

Рассеиваемая Мощность

750мВт

Полярность Транзистора

P Channel

Напряжение Истока-стока Vds

-30В

Непрерывный Ток Стока

-4А