11

SI2302CDS-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 2.9 А, 20 В

42,00 руб.

x 42,00 = 42,00
Артикул: 1135336 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней42,00руб.39,06руб.37,80руб.36,96руб.34,44руб.33,60руб.32,76руб.30,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней76,02руб.69,72руб.68,46руб.66,78руб.62,16руб.60,90руб.59,22руб.53,34руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней98,28руб.90,72руб.88,62руб.86,52руб.80,64руб.78,54руб.76,86руб.68,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней50,40руб.46,20руб.45,36руб.44,10руб.41,16руб.40,32руб.39,06руб.35,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней97,02руб.89,46руб.87,36руб.85,26руб.82,74руб.79,80руб.75,60руб.68,04руб.

Характеристики

SI2302CDS-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 2.9 А, 20 В The SI2302CDS-T1-GE3 is a 20V N-channel TrenchFET® power MOSFET for use in load switching for portable devices.

• ±8V Gate to source voltage

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-236
Рассеиваемая Мощность

710мВт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

20В
Непрерывный Ток Стока

2.9А