1925

SI1012R-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 600 мА, 20 В

41,00 руб.

x 41,00 = 41,00
Артикул: 1135322 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней41,00руб.38,13руб.36,90руб.36,08руб.33,62руб.32,80руб.31,98руб.29,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней74,21руб.68,06руб.66,83руб.65,19руб.60,68руб.59,45руб.57,81руб.52,07руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней95,94руб.88,56руб.86,51руб.84,46руб.78,72руб.76,67руб.75,03руб.67,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней49,20руб.45,10руб.44,28руб.43,05руб.40,18руб.39,36руб.38,13руб.34,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней94,71руб.87,33руб.85,28руб.83,23руб.80,77руб.77,90руб.73,80руб.66,42руб.

Характеристики

SI1012R-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 600 мА, 20 В The SI1012R-T1-GE3 is a 1.8VGS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.

• 2000V Gate-source ESD protected
• High-side switching
• Low ON-resistance
• Low threshold
• 10ns Fast switching speed
• Halogen-free
• Ease in driving switches
• Low offset voltage
• Low-voltage operation
• High-speed circuits
• Low battery voltage operation

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-416
Рассеиваемая Мощность

150мВт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

20В
Непрерывный Ток Стока

600мА