ce35479fde161724414ce48b616edde1

PSMN1R5-30YL, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 30 В, 1.3 мОм

120,00 руб.

x 120,00 = 120,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней120,00руб.111,60руб.108,00руб.105,60руб.102,00руб.96,00руб.93,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней225,60руб.207,60руб.204,00руб.199,20руб.192,00руб.181,20руб.176,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней229,20руб.211,20руб.206,40руб.201,60руб.192,00руб.182,40руб.178,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней144,00руб.132,00руб.129,60руб.126,00руб.122,40руб.115,20руб.111,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней208,80руб.192,00руб.187,20руб.183,60руб.177,60руб.166,80руб.162,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней130,80руб.121,20руб.117,60руб.115,20руб.111,60руб.104,40руб.102,00руб.

Характеристики

PSMN1R5-30YL, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 30 В, 1.3 мОм The PSMN1R5-30YL is a N-channel logic level MOSFET with advanced TrenchMOS technology provides low RDS (ON) and low gate charge. It is designed and qualified for use in a wide range of It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC converters, lithium-ion battery protection, load switching, server power supplies and domestic equipment applications.

• Improved mechanical and thermal characteristics
• High efficiency gains in switching power converters
• LFPAK provides maximum power density in a power SO8 package
• -55 to 175 C Junction temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-669

Рассеиваемая Мощность

109Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

100А