51

NTD6416ANLT4G, МОП-транзистор, N Канал, 19 А, 100 В, 68 мОм

85,00 руб.

x 85,00 = 85,00
Артикул: 1134701 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней85,00руб.79,05руб.76,50руб.74,80руб.69,70руб.68,00руб.66,30руб.61,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней153,85руб.141,10руб.138,55руб.135,15руб.125,80руб.123,25руб.119,85руб.107,95руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней198,90руб.183,60руб.179,35руб.175,10руб.163,20руб.158,95руб.155,55руб.139,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней102,00руб.93,50руб.91,80руб.89,25руб.83,30руб.81,60руб.79,05руб.71,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней196,35руб.181,05руб.176,80руб.172,55руб.167,45руб.161,50руб.153,00руб.137,70руб.

Характеристики

NTD6416ANLT4G, МОП-транзистор, N Канал, 19 А, 100 В, 68 мОм The NTD6416ANLT4G is a N-channel Power MOSFET offers 100V drain source voltage and 19A continuous drain current.

• Lower RDS (ON)
• High current capability
• 100% Avalanche tested
• -55 to 175 C Operating junction temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

71Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

100В
Непрерывный Ток Стока

19А