2

NDT454P, МОП-транзистор, P Канал, -5.9 А, -30 В, 50 мОм

160,00 руб.

x 160,00 = 160,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней160,00руб.148,80руб.144,00руб.140,80руб.136,00руб.128,00руб.124,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней300,80руб.276,80руб.272,00руб.265,60руб.256,00руб.241,60руб.235,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней305,60руб.281,60руб.275,20руб.268,80руб.256,00руб.243,20руб.238,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней192,00руб.176,00руб.172,80руб.168,00руб.163,20руб.153,60руб.148,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней278,40руб.256,00руб.249,60руб.244,80руб.236,80руб.222,40руб.216,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней174,40руб.161,60руб.156,80руб.153,60руб.148,80руб.139,20руб.136,00руб.

Характеристики

NDT454P, МОП-транзистор, P Канал, -5.9 А, -30 В, 50 мОм The NDT454P is a -30V P-channel enhancement mode Field Effect Transistor produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed. This product is general usage and suitable for many different applications.

• High power and current handling capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-223

Рассеиваемая Мощность

3Вт

Полярность Транзистора

P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

-30В

Непрерывный Ток Стока

-5.9А