2

NDT3055L, МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 60 В, 7 мОм, 10 В, 1.6 В

77,00 руб.

x 77,00 = 77,00
Артикул: 1134680 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней77,00руб.71,61руб.69,30руб.67,76руб.63,14руб.61,60руб.60,06руб.55,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней139,37руб.127,82руб.125,51руб.122,43руб.113,96руб.111,65руб.108,57руб.97,79руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней180,18руб.166,32руб.162,47руб.158,62руб.147,84руб.143,99руб.140,91руб.126,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней92,40руб.84,70руб.83,16руб.80,85руб.75,46руб.73,92руб.71,61руб.64,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней177,87руб.164,01руб.160,16руб.156,31руб.151,69руб.146,30руб.138,60руб.124,74руб.

Характеристики

NDT3055L, МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 60 В, 7 мОм, 10 В, 1.6 ВThe NDT3055L is a N-channel logic level enhancement mould MOSFET using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC/DC converters, PWM motor controls and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed.

• High density cell design for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• Low drive requirements allowing operation directly from logic drivers

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

4вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-223
Рассеиваемая Мощность

3Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

60В
Непрерывный Ток Стока

4А