IRLD120PBF, МОП-транзистор, N Канал, 1.3 А, 100 В, 270 мОм

65,00 руб.

Артикул: 1134556 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	65,00руб.	60,45руб.	58,50руб.	57,20руб.	53,30руб.	52,00руб.	50,70руб.	46,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	117,65руб.	107,90руб.	105,95руб.	103,35руб.	96,20руб.	94,25руб.	91,65руб.	82,55руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	152,10руб.	140,40руб.	137,15руб.	133,90руб.	124,80руб.	121,55руб.	118,95руб.	106,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	78,00руб.	71,50руб.	70,20руб.	68,25руб.	63,70руб.	62,40руб.	60,45руб.	54,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	150,15руб.	138,45руб.	135,20руб.	131,95руб.	128,05руб.	123,50руб.	117,00руб.	105,30руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRLD120PBF, МОП-транзистор, N Канал, 1.3 А, 100 В, 270 мОм The IRLD120PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.

• Dynamic dV/dt rating
• For automatic insertion
• Repetitive avalanche rated
• End stackable
• Logic-level gate drive
• RDS (ON) Specified at VGS = 4 and 5V
• -55 to 175 C Operating temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	4вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	dip
Рассеиваемая Мощность	1.3Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	1.3А