52н

IRLD014PBF, МОП-транзистор, N Канал, 1.7 А, 60 В, 200 мОм

84,00 руб.

x 84,00 = 84,00
Артикул: 1134555 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней84,00руб.78,12руб.75,60руб.73,92руб.68,88руб.67,20руб.65,52руб.60,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней152,04руб.139,44руб.136,92руб.133,56руб.124,32руб.121,80руб.118,44руб.106,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней196,56руб.181,44руб.177,24руб.173,04руб.161,28руб.157,08руб.153,72руб.137,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней100,80руб.92,40руб.90,72руб.88,20руб.82,32руб.80,64руб.78,12руб.70,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней194,04руб.178,92руб.174,72руб.170,52руб.165,48руб.159,60руб.151,20руб.136,08руб.

Характеристики

IRLD014PBF, МОП-транзистор, N Канал, 1.7 А, 60 В, 200 мОм The IRLD014PBF is a 60V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a low cost machine-insertiable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain servers as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175 C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• For automatic insertion
• End stackable

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

4вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

dip
Рассеиваемая Мощность

1.3Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

60В
Непрерывный Ток Стока

1.7А