52н

IRL2910SPBF, МОП-транзистор, N Канал, 29 А, 100 В, 26 мОм

78,00 руб.

x 78,00 = 78,00
Артикул: 1134538 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней78,00руб.72,54руб.70,20руб.68,64руб.63,96руб.62,40руб.60,84руб.56,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней141,18руб.129,48руб.127,14руб.124,02руб.115,44руб.113,10руб.109,98руб.99,06руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней182,52руб.168,48руб.164,58руб.160,68руб.149,76руб.145,86руб.142,74руб.127,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней93,60руб.85,80руб.84,24руб.81,90руб.76,44руб.74,88руб.72,54руб.65,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней180,18руб.166,14руб.162,24руб.158,34руб.153,66руб.148,20руб.140,40руб.126,36руб.

Характеристики

IRL2910SPBF, МОП-транзистор, N Канал, 29 А, 100 В, 26 мОм The IRL2910SPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The surface-mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible ON-resistance in any existing surface-mount package. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.

• Logic level gate drive
• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263
Рассеиваемая Мощность

3.8Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

100В
Непрерывный Ток Стока

29А