16

IRFS4410ZTRLPBF, МОП-транзистор, N Канал, 97 А, 100 В

280,00 руб.

x 280,00 = 280,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней280,00руб.260,40руб.252,00руб.246,40руб.238,00руб.224,00руб.218,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней526,40руб.484,40руб.476,00руб.464,80руб.448,00руб.422,80руб.411,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней534,80руб.492,80руб.481,60руб.470,40руб.448,00руб.425,60руб.417,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней336,00руб.308,00руб.302,40руб.294,00руб.285,60руб.268,80руб.260,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней487,20руб.448,00руб.436,80руб.428,40руб.414,40руб.389,20руб.378,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней305,20руб.282,80руб.274,40руб.268,80руб.260,40руб.243,60руб.238,00руб.

Характеристики

IRFS4410ZTRLPBF, МОП-транзистор, N Канал, 97 А, 100 В N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263

Рассеиваемая Мощность

230Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

100В

Непрерывный Ток Стока

97А