2

IRF7905TRPBF, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал

78,00 руб.

x 78,00 = 78,00
Артикул: 1134354 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней78,00руб.72,54руб.70,20руб.68,64руб.63,96руб.62,40руб.60,84руб.56,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней141,18руб.129,48руб.127,14руб.124,02руб.115,44руб.113,10руб.109,98руб.99,06руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней182,52руб.168,48руб.164,58руб.160,68руб.149,76руб.145,86руб.142,74руб.127,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней93,60руб.85,80руб.84,24руб.81,90руб.76,44руб.74,88руб.72,54руб.65,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней180,18руб.166,14руб.162,24руб.158,34руб.153,66руб.148,20руб.140,40руб.126,36руб.

Характеристики

IRF7905TRPBF, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

2Вт
Полярность Транзистора

Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

7.8А