2

IRF7490PBF, МОП-транзистор, N Канал, 5.4 А, 100 В, 39 мОм

110,00 руб.

x 110,00 = 110,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней110,00руб.102,30руб.99,00руб.96,80руб.93,50руб.88,00руб.85,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней206,80руб.190,30руб.187,00руб.182,60руб.176,00руб.166,10руб.161,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней210,10руб.193,60руб.189,20руб.184,80руб.176,00руб.167,20руб.163,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней132,00руб.121,00руб.118,80руб.115,50руб.112,20руб.105,60руб.102,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней191,40руб.176,00руб.171,60руб.168,30руб.162,80руб.152,90руб.148,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней119,90руб.111,10руб.107,80руб.105,60руб.102,30руб.95,70руб.93,50руб.

Характеристики

IRF7490PBF, МОП-транзистор, N Канал, 5.4 А, 100 В, 39 мОм The IRF7490PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
• Fully characterized avalanche voltage and current
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching
• Fully avalanche rating

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC

Рассеиваемая Мощность

2.5Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

100В

Непрерывный Ток Стока

5.4А