Заполнитель

FQU13N06LTU, МОП-транзистор, N Канал, 11 А, 60 В, 0.092 Ом

78,00 руб.

x 78,00 = 78,00
Артикул: 1134034 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней78,00руб.72,54руб.70,20руб.68,64руб.63,96руб.62,40руб.60,84руб.56,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней141,18руб.129,48руб.127,14руб.124,02руб.115,44руб.113,10руб.109,98руб.99,06руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней182,52руб.168,48руб.164,58руб.160,68руб.149,76руб.145,86руб.142,74руб.127,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней93,60руб.85,80руб.84,24руб.81,90руб.76,44руб.74,88руб.72,54руб.65,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней180,18руб.166,14руб.162,24руб.158,34руб.153,66руб.148,20руб.140,40руб.126,36руб.

Характеристики

FQU13N06LTU, МОП-транзистор, N Канал, 11 А, 60 В, 0.092 Ом The FQU13N06LTU is a QFET® enhancement-mode N-channel Power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.

• Low level gate drive requirements allowing direct operation form logic drivers
• 100% Avalanche tested
• 4.8nC Typical low gate charge
• 17pF Typical low Crss

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-251AA
Рассеиваемая Мощность

28Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

60В
Непрерывный Ток Стока

11А