Заполнитель

FQP17P10, МОП-транзистор, P Канал, 16.5 А, -100 В, 190 мОм

94,00 руб.

x 94,00 = 94,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней94,00руб.87,42руб.84,60руб.82,72руб.77,08руб.75,20руб.73,32руб.67,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней170,14руб.156,04руб.153,22руб.149,46руб.139,12руб.136,30руб.132,54руб.119,38руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней219,96руб.203,04руб.198,34руб.193,64руб.180,48руб.175,78руб.172,02руб.154,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней112,80руб.103,40руб.101,52руб.98,70руб.92,12руб.90,24руб.87,42руб.78,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней217,14руб.200,22руб.195,52руб.190,82руб.185,18руб.178,60руб.169,20руб.152,28руб.

Характеристики

FQP17P10, МОП-транзистор, P Канал, 16.5 А, -100 В, 190 мОм The FQP17P10 is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.

• 100% Avalanche tested
• 30nC Typical low gate charge
• 100pF Typical low Crss

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

to-220

Рассеиваемая Мощность

100Вт

Полярность Транзистора

P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

-100В

Непрерывный Ток Стока

16.5А