Заполнитель

FQD19N10TM, МОП-транзистор, N Канал, 15.6 А, 100 В

69,00 руб.

x 69,00 = 69,00
Артикул: 1134002 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней69,00руб.64,17руб.62,10руб.60,72руб.56,58руб.55,20руб.53,82руб.49,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней124,89руб.114,54руб.112,47руб.109,71руб.102,12руб.100,05руб.97,29руб.87,63руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней161,46руб.149,04руб.145,59руб.142,14руб.132,48руб.129,03руб.126,27руб.113,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней82,80руб.75,90руб.74,52руб.72,45руб.67,62руб.66,24руб.64,17руб.57,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней159,39руб.146,97руб.143,52руб.140,07руб.135,93руб.131,10руб.124,20руб.111,78руб.

Характеристики

FQD19N10TM, МОП-транзистор, N Канал, 15.6 А, 100 В The FQD19N10TM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.

• 100% Avalanche tested
• 19nC Typical low gate charge
• 32pF Typical low Crss

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252AA
Рассеиваемая Мощность

50Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

100В
Непрерывный Ток Стока

15.6А