Заполнитель

FQD13N10TM, МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 100 В, 0.142 Ом

64,00 руб.

x 64,00 = 64,00
Артикул: 1133997 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней64,00руб.59,52руб.57,60руб.56,32руб.52,48руб.51,20руб.49,92руб.46,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней115,84руб.106,24руб.104,32руб.101,76руб.94,72руб.92,80руб.90,24руб.81,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней149,76руб.138,24руб.135,04руб.131,84руб.122,88руб.119,68руб.117,12руб.104,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней76,80руб.70,40руб.69,12руб.67,20руб.62,72руб.61,44руб.59,52руб.53,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней147,84руб.136,32руб.133,12руб.129,92руб.126,08руб.121,60руб.115,20руб.103,68руб.

Характеристики

FQD13N10TM, МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 100 В, 0.142 Ом QFET® N-Channel MOSFET, 6A to 10.9A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252AA
Рассеиваемая Мощность

40Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

100В
Непрерывный Ток Стока

10а