1925

FDS5670, МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 60 В, 14 мОм, 10 В, 2.4 В

190,00 руб.

x 190,00 = 190,00
Артикул: 1133957 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней190,00руб.176,70руб.171,00руб.167,20руб.161,50руб.152,00руб.148,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней357,20руб.328,70руб.323,00руб.315,40руб.304,00руб.286,90руб.279,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней362,90руб.334,40руб.326,80руб.319,20руб.304,00руб.288,80руб.283,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней228,00руб.209,00руб.205,20руб.199,50руб.193,80руб.182,40руб.176,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней330,60руб.304,00руб.296,40руб.290,70руб.281,20руб.264,10руб.256,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней207,10руб.191,90руб.186,20руб.182,40руб.176,70руб.165,30руб.161,50руб.

Характеристики

FDS5670, МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 60 В, 14 мОм, 10 В, 2.4 ВThe FDS5670 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process. It designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.

• Low gate charge
• Fast switching speed
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

2.5Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

60В
Непрерывный Ток Стока

10а