FDN336P, МОП-транзистор, P Канал, -1.3 А, -20 В, 0.122 Ом

40,00 руб.

Артикул: 1133919 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	40,00руб.	37,20руб.	36,00руб.	35,20руб.	32,80руб.	32,00руб.	31,20руб.	28,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	72,40руб.	66,40руб.	65,20руб.	63,60руб.	59,20руб.	58,00руб.	56,40руб.	50,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	93,60руб.	86,40руб.	84,40руб.	82,40руб.	76,80руб.	74,80руб.	73,20руб.	65,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	48,00руб.	44,00руб.	43,20руб.	42,00руб.	39,20руб.	38,40руб.	37,20руб.	33,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	92,40руб.	85,20руб.	83,20руб.	81,20руб.	78,80руб.	76,00руб.	72,00руб.	64,80руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FDN336P, МОП-транзистор, P Канал, -1.3 А, -20 В, 0.122 Ом The FDN336P is a 2.5V specified P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion. The SuperSOT™-3 provides low RDS (ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• 3.6nC Typical low gate charge

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SuperSOT
Рассеиваемая Мощность	500мВт
Полярность Транзистора	P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	-20В
Непрерывный Ток Стока	-1.3А