16

FDB024N06, МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 60 В, 0.0018 Ом

420,00 руб.

x 420,00 = 420,00
Артикул: 1133843 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней420,00руб.390,60руб.378,00руб.369,60руб.357,00руб.336,00руб.327,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней789,60руб.726,60руб.714,00руб.697,20руб.672,00руб.634,20руб.617,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней802,20руб.739,20руб.722,40руб.705,60руб.672,00руб.638,40руб.625,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней504,00руб.462,00руб.453,60руб.441,00руб.428,40руб.403,20руб.390,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней730,80руб.672,00руб.655,20руб.642,60руб.621,60руб.583,80руб.567,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней457,80руб.424,20руб.411,60руб.403,20руб.390,60руб.365,40руб.357,00руб.

Характеристики

FDB024N06, МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 60 В, 0.0018 Ом The FDB024N06 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. It has been tailored to minimize the ON-state resistance while maintaining superior switching performance. It is suitable for use in synchronous rectification for ATX/server/telecom PSU, battery protection circuit and renewable system.

• Fast switching speed
• Low gate charge
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263AB
Рассеиваемая Мощность

395Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

60В
Непрерывный Ток Стока

120А