b4861cb39e0d87b443bbb1f55588ed07

2N7000BU, МОП-транзистор, N Канал, 200 мА, 60 В, 5 Ом, 10 В

30,00 руб.

x 30,00 = 30,00
Артикул: 1133347 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней30,00руб.27,90руб.27,00руб.26,40руб.24,60руб.24,00руб.23,40руб.21,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней54,30руб.49,80руб.48,90руб.47,70руб.44,40руб.43,50руб.42,30руб.38,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней70,20руб.64,80руб.63,30руб.61,80руб.57,60руб.56,10руб.54,90руб.49,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней36,00руб.33,00руб.32,40руб.31,50руб.29,40руб.28,80руб.27,90руб.25,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней69,30руб.63,90руб.62,40руб.60,90руб.59,10руб.57,00руб.54,00руб.48,60руб.

Характеристики

2N7000BU, МОП-транзистор, N Канал, 200 мА, 60 В, 5 Ом, 10 В The 2N7000BU is an advanced small-signal N-channel enhancement-mode MOSFET produced using Fairchild’s proprietary high cell density DMOS technology. It minimizes ON-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. It is particularly suited for low-voltage, low-current applications, such as power MOSFET gate drivers and other switching applications.

• Fast switching times
• Improved inductive ruggedness
• Lower input capacitance
• Extended safe operating area
• Improved high-temperature reliability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-226AA
Рассеиваемая Мощность

400мВт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

60В
Непрерывный Ток Стока

200ма