Заполнитель

STP45N65M5, МОП-транзистор, N Канал, 35 А, 650 В, 0.067 Ом

530,00 руб.

x 530,00 = 530,00
Артикул: 1133210 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней530,00руб.492,90руб.477,00руб.466,40руб.450,50руб.424,00руб.413,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней996,40руб.916,90руб.901,00руб.879,80руб.848,00руб.800,30руб.779,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.012,30руб.932,80руб.911,60руб.890,40руб.848,00руб.805,60руб.789,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней636,00руб.583,00руб.572,40руб.556,50руб.540,60руб.508,80руб.492,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней922,20руб.848,00руб.826,80руб.810,90руб.784,40руб.736,70руб.715,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней577,70руб.535,30руб.519,40руб.508,80руб.492,90руб.461,10руб.450,50руб.

Характеристики

STP45N65M5, МОП-транзистор, N Канал, 35 А, 650 В, 0.067 Ом The STP45N65M5 is a 650V N-channel MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The MOSFET has extremely low on resistance, which is unmatched among silicon based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today’s challenging efficiency requirements.

• Worldwide best RDS (on)
• Higher VDSS rating and high dv/dt capability
• Excellent switching performance
• 100% Avalanche tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220
Рассеиваемая Мощность

210Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

650В
Непрерывный Ток Стока

35А