011

STD3NK60Z-1, МОП-транзистор, N Канал, 2.4 А, 600 В, 3.3 Ом

99,00 руб.

x 99,00 = 99,00
Артикул: 1133083 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней99,00руб.92,07руб.89,10руб.87,12руб.81,18руб.79,20руб.77,22руб.71,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней179,19руб.164,34руб.161,37руб.157,41руб.146,52руб.143,55руб.139,59руб.125,73руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней231,66руб.213,84руб.208,89руб.203,94руб.190,08руб.185,13руб.181,17руб.162,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней118,80руб.108,90руб.106,92руб.103,95руб.97,02руб.95,04руб.92,07руб.83,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней228,69руб.210,87руб.205,92руб.200,97руб.195,03руб.188,10руб.178,20руб.160,38руб.

Характеристики

STD3NK60Z-1, МОП-транзистор, N Канал, 2.4 А, 600 В, 3.3 Ом The STD3NK60Z-1 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.

• Extremely high dV/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Very low intrinsic capacitance
• Very good manufacturing repeatability
• Ideal for off-line power supplies, adaptors and PFC

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-251AA
Рассеиваемая Мощность

45Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

2.4А