011

STD10NM60ND, МОП-транзистор, N Канал, 8 А, 600 В, 0.57 Ом

91,00 руб.

x 91,00 = 91,00
Артикул: 1133064 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней91,00руб.84,63руб.81,90руб.80,08руб.74,62руб.72,80руб.70,98руб.65,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней164,71руб.151,06руб.148,33руб.144,69руб.134,68руб.131,95руб.128,31руб.115,57руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней212,94руб.196,56руб.192,01руб.187,46руб.174,72руб.170,17руб.166,53руб.149,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней109,20руб.100,10руб.98,28руб.95,55руб.89,18руб.87,36руб.84,63руб.76,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней210,21руб.193,83руб.189,28руб.184,73руб.179,27руб.172,90руб.163,80руб.147,42руб.

Характеристики

STD10NM60ND, МОП-транзистор, N Канал, 8 А, 600 В, 0.57 Ом The STD10NM60ND is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low ON-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

• 100% Avalanche tested
• Low gate input resistance
• Extremely high dV/dt avalanche capabilities

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

70Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

8А