29245670bda27b031fbd5311dbfc61f4

STB11NM80T4, МОП-транзистор, N Канал, 5.5 А, 800 В, 0.35 Ом

990,00 руб.

x 990,00 = 990,00
Артикул: 1133042 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней990,00руб.920,70руб.891,00руб.871,20руб.841,50руб.792,00руб.772,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.861,20руб.1.712,70руб.1.683,00руб.1.643,40руб.1.584,00руб.1.494,90руб.1.455,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.890,90руб.1.742,40руб.1.702,80руб.1.663,20руб.1.584,00руб.1.504,80руб.1.475,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней1.188,00руб.1.089,00руб.1.069,20руб.1.039,50руб.1.009,80руб.950,40руб.920,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.722,60руб.1.584,00руб.1.544,40руб.1.514,70руб.1.465,20руб.1.376,10руб.1.336,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней1.079,10руб.999,90руб.970,20руб.950,40руб.920,70руб.861,30руб.841,50руб.

Характеристики

STB11NM80T4, МОП-транзистор, N Канал, 5.5 А, 800 В, 0.35 Ом The STB11NM80T4 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. developed using STMicroelectronics’ revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company’s PowerMESH™ horizontal layout. This device offers extremely low ON-resistance, high dV/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST’s proprietary strip technique, this Power MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.

• Low gate input resistance
• Best RDS (ON) Qg in the industry

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263
Рассеиваемая Мощность

150Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

800В
Непрерывный Ток Стока

5.5А