e3519c57d1ad94d10277358d60a70183

SPA08N80C3XKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 8 А, 800 В

250,00 руб.

x 250,00 = 250,00
Артикул: 1132992 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней250,00руб.232,50руб.225,00руб.220,00руб.212,50руб.200,00руб.195,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней470,00руб.432,50руб.425,00руб.415,00руб.400,00руб.377,50руб.367,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней477,50руб.440,00руб.430,00руб.420,00руб.400,00руб.380,00руб.372,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней300,00руб.275,00руб.270,00руб.262,50руб.255,00руб.240,00руб.232,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней435,00руб.400,00руб.390,00руб.382,50руб.370,00руб.347,50руб.337,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней272,50руб.252,50руб.245,00руб.240,00руб.232,50руб.217,50руб.212,50руб.

Характеристики

SPA08N80C3XKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 8 А, 800 В The SPA08N80C3 is a 800V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is suitable for solar, PC Power and adapter applications.

• New revolutionary high voltage technology
• Extreme dV/dt rated
• Periodic avalanche rated
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Ultra low effective capacitance
• Fully isolated package
• Improved transconductance
• Low specific ON-state resistance
• Field proven CoolMOS™ quality
• Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
• High efficiency and power density
• Outstanding performance
• High reliability
• Ease of use

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220fp
Рассеиваемая Мощность

40Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

800В
Непрерывный Ток Стока

8А